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| 四电极电化学腐蚀在微压传感器制造中的应用 | |
| 引用本文： | 乔文华,张纯棣,张治国. 四电极电化学腐蚀在微压传感器制造中的应用[J]. 仪表技术与传感器, 2000, 0(8): 11-12 |
| 作者姓名： | 乔文华 张纯棣 张治国 |
| 作者单位： | 沈阳仪器仪表工艺研究所沈阳市 110043 |
| 摘 要： | 在研究四电极电化学腐蚀工艺过程中，考虑了与扩散硅压力传感器芯片平面工艺的兼容性，使得该工艺用于微压传器器的制造。微压传感器采用梁膜结构设计，膜区厚度为１０μｍ，制造出的微压传感器灵敏度为５０ｍＶ／３ｋＰａ．１ｍＡ。端点法非线性为０．５％。 |
| 关 键 词： | 四电极 电化学腐蚀 微压传感器 梁膜结构 制造 |
| 修稿时间： | 2000-05-28 |
The Role of Four-electrode Chemical Etching in Production of Micropressure Transducer |
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| Qiao Wenhua Zhang Chunli Zhang Zhiguo Transducer Base of Shenyang Institute of Instrumentation Technology,Shenyang. The Role of Four-electrode Chemical Etching in Production of Micropressure Transducer[J]. Instrument Technique and Sensor, 2000, 0(8): 11-12 | |
| Authors: | Qiao Wenhua Zhang Chunli Zhang Zhiguo Transducer Base of Shenyang Institute of Instrumentation Technology Shenyang |
| Affiliation: | Qiao Wenhua Zhang Chunli Zhang Zhiguo Transducer Base of Shenyang Institute of Instrumentation Technology,Shenyang 110043 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Four electrode Electrochemical Etching Micropressure Transducer Beam Diaphragm Structure |
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