离子注入剥离铌酸锂单晶薄膜的Ar+刻蚀研究 |
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作者姓名: | 方远苹 罗文博 郝昕 白晓园 曾慧中 帅垚 张万里 |
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作者单位: | (1.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054;2.成都优蕊光电科技有限公司,四川 成都 611731) |
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基金项目: | 四川省科技支撑基金资助项目(2018JY0127) |
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摘 要: | 通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层,导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层的方法,基于高能离子注入仿真,采用扫描电子显微镜、原子力显微镜分析了刻蚀参数对刻蚀速率、表面形貌的影响,并确定了LNO薄膜损伤层的刻蚀工艺参数。X线衍射分析表明,通过Ar+刻蚀将LNO薄膜摇摆曲线半高宽减至接近注入前LNO单晶材料,压电力显微镜测试表明去除损伤层后的LNO单晶薄膜具备更一致的压电响应。
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关 键 词: | 铌酸锂(LNO)单晶薄膜;表面损伤层;Ar+刻蚀;晶体质量;压电性能 |
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