| 离子注入剥离铌酸锂单晶薄膜的Ar+刻蚀研究 |
| |
| 引用本文： | 方远苹,罗文博,郝昕,白晓园,曾慧中,帅垚,张万里.离子注入剥离铌酸锂单晶薄膜的Ar+刻蚀研究[J].压电与声光,2020,42(5):674-677. |
| |
| 作者姓名： | 方远苹 罗文博 郝昕 白晓园 曾慧中 帅垚 张万里 |
| |
| 作者单位： | （1.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054;2.成都优蕊光电科技有限公司，四川 成都 611731） |
| |
| 基金项目： | 四川省科技支撑基金资助项目(2018JY0127) |
| |
| 摘 要： | 通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能，在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层，导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层的方法，基于高能离子注入仿真，采用扫描电子显微镜、原子力显微镜分析了刻蚀参数对刻蚀速率、表面形貌的影响，并确定了LNO薄膜损伤层的刻蚀工艺参数。X线衍射分析表明，通过Ar+刻蚀将LNO薄膜摇摆曲线半高宽减至接近注入前LNO单晶材料，压电力显微镜测试表明去除损伤层后的LNO单晶薄膜具备更一致的压电响应。
|
| 关 键 词： | 铌酸锂（LNO）单晶薄膜 表面损伤层 Ar+刻蚀 晶体质量 压电性能 |
|
| 点击此处可从《压电与声光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《压电与声光》下载全文 |
|
