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SnO2压敏陶瓷掺杂MnO2的制备和性能研究
引用本文:梁温馨,赵洪峰,康加爽,王昊,周远翔,谢清云.SnO2压敏陶瓷掺杂MnO2的制备和性能研究[J].压电与声光,2020,42(6):810-813.
作者姓名:梁温馨  赵洪峰  康加爽  王昊  周远翔  谢清云
作者单位:(1.新疆大学 电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室,新疆 乌鲁木齐 830046;;2.西电避雷器有限责任公司,陕西 西安 710200)
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.51762038)
摘    要:采用MnO2部分替代ZnO的方法固相烧结制备了SnO2-ZnO Ta2O5基压敏陶瓷。研究了Zn,Mn共同掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响,发现少量Mn的替代掺杂可以改善SnO2压敏陶瓷的非线性并显著提高其电压梯度。当MnO2的摩尔分数为0.25%时,样品的非线性达到了21.37,电压梯度为422 V/mm,泄漏电流为72.12 μA/cm2。造成这种变化的主要原因是Mn补充了SnO2晶格中ZnO原有的不溶部分,通过固溶反应产生了受主缺陷离子Mn″Sn,增大了受主浓度,促进了势垒的形成。同时,Mn在SnO2晶格中的溶解度较低,容易在晶界层析出,阻碍晶粒生长,增加了电压梯度。

关 键 词:SnO2压敏陶瓷  泄漏电流  电压梯度  微观结构  肖特基势垒

Study on Preparation and Properties of SnO2 Varistor Ceramics Doped with MnO2
LIANG Wenxin,ZHAO Hongfeng,KANG Jiashuang,WANG Hao,ZHOU Yuanxiang,XIE Qingyun.Study on Preparation and Properties of SnO2 Varistor Ceramics Doped with MnO2[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2020,42(6):810-813.
Authors:LIANG Wenxin  ZHAO Hongfeng  KANG Jiashuang  WANG Hao  ZHOU Yuanxiang  XIE Qingyun
Abstract:
Keywords:SnO2 varistor ceramics  leakage current  voltage gradient  microstructure  Schottky barrier
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