掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究 |
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引用本文: | 刘玉芬,郜小勇,刘绪伟,赵剑涛,卢景霄. 掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(4) |
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作者姓名: | 刘玉芬 郜小勇 刘绪伟 赵剑涛 卢景霄 |
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作者单位: | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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基金项目: | 国家"973"子课题 |
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摘 要: | 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。
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关 键 词: | 氢化微晶硅薄膜 晶化率 平均晶粒尺寸 光学带隙 Kronig-Penney模型 |
Microstructures and Optical Properties of P-Doped Hydrogenated Silicon Microcrystalline Films |
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Abstract: | |
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