| 掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 刘玉芬,郜小勇,刘绪伟,赵剑涛,卢景霄. 掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(4) |
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| 作者姓名： | 刘玉芬 郜小勇 刘绪伟 赵剑涛 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家"973"子课题 |
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| 摘 要： | 本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅（μc-Si∶H）薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率（Xc）和平均晶粒尺寸（d）。结果表明随着磷烷（PH3）浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙（Egopt）。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F（x）作出合理解释。
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| 关 键 词： | 氢化微晶硅薄膜 晶化率 平均晶粒尺寸 光学带隙 Kronig-Penney模型 |
Microstructures and Optical Properties of P-Doped Hydrogenated Silicon Microcrystalline Films |
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