| 溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵强,褚君浩.溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响[J].功能材料与器件学报,2003,9(3):262-266. |
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| 作者姓名： | 赵强 褚君浩 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学物理系,上海,200062;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 上海市青年科技启明星计划，02QD14053， |
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| 摘 要： | 在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、 La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在 20%～30%范围时,Ni、 La含量比为 1:1而且比较稳定.当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值.制备 LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在 30%左右.
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| 关 键 词： | LaNiO3-x薄膜 射频溅射 SEM 氧分压 导电性 晶格参数 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)03-0262-05 |
| 修稿时间： | 2002年12月13 |
Oxygen partial pressure dependence of the properties of sputtered LaNiO3 films |
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| ZHAO Qiang,CHU Jun- hao.Oxygen partial pressure dependence of the properties of sputtered LaNiO3 films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(3):262-266. |
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| Authors: | ZHAO Qiang CHU Jun- hao |
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| Affiliation: | ZHAO Qiang1,2,CHU Jun- hao2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF- sputtering LaNiO3 thin film conductivity lattice constant |
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