| 合并互补BiCMOS集成电路的研究 |
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| 引用本文： | 茅盘松.合并互补BiCMOS集成电路的研究[J].微电子学,1998,28(1):6-9. |
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| 作者姓名： | 茅盘松 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。
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| 关 键 词： | 集成电路 合并互补 门电路 MOS型 |
An Investigation into Merged Complementary BiCMOS Integrated Circuits |
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| MAO Pan Song Dept.Electronic Engineering,Southeast University,Nanjing,Jiangsu.An Investigation into Merged Complementary BiCMOS Integrated Circuits[J].Microelectronics,1998,28(1):6-9. |
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| Authors: | MAO Pan Song DeptElectronic Engineering Southeast University Nanjing Jiangsu |
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| Affiliation: | MAO Pan Song Dept.Electronic Engineering,Southeast University,Nanjing,Jiangsu 210096 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IC BiCMOS Merged complementary BiCMOS Gate circuit |
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