| 基于失效机理的半导体器件寿命模型研究 |
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| 引用本文： | 赵霞,吴金,姚建楠.基于失效机理的半导体器件寿命模型研究[J].电子产品可靠性与环境试验,2007,25(6):15-18. |
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| 作者姓名： | 赵霞 吴金 姚建楠 |
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| 作者单位： | 东南大学无锡分校,江苏,无锡,214000 |
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| 摘 要： | 微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.
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| 关 键 词： | 半导体器件 加速寿命试验 失效机理 |
| 文章编号： | 1672-5468（2007）06-0005-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-02 |
| 修稿时间： | 2007-10-10 |
Research on Lifetime Models of Semiconductor Devices Based on Failure Mechanism |
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| ZHAO Xia,WU Jin,YAO Jian-nan.Research on Lifetime Models of Semiconductor Devices Based on Failure Mechanism[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2007,25(6):15-18. |
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| Authors: | ZHAO Xia WU Jin YAO Jian-nan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor devices ALT failure mechanism |
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