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In2O3基NO2气体传感器的研究
引用本文:刘凤敏,陈丽华,全宝富.In2O3基NO2气体传感器的研究[J].微纳电子技术,2007(8).
作者姓名:刘凤敏  陈丽华  全宝富
作者单位:吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012 吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012 吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012
摘    要:利用化学沉淀法制备了In2O3粉体,采用X射线衍射(XRD)的方法得到了粉体的晶体结构,颗粒尺寸为纳米量级.以In2O3为基体材料,制作了烧结型旁热式气敏元件,通过固相掺杂的办法改善元件的气敏特性.在低于100℃的工作温度下,通过对SO2,CO,CH4,Cl2,NO2五种气体的检测,发现分别以质量分数为2%PdCl2和5?O2为掺杂剂的元件对NO2气体均表现出较好的敏感性,对SO2,CO,CH4,Cl2四种干扰气体的灵敏度较低,表明元件具有良好的选择性.

关 键 词:低温  二氧化氮  传感器
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