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| 低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计 | |
| 引用本文： | 曾军,朱薇薇,李斌,樊祥宁.低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计[J].高技术通讯,2011(12):1285-1290. |
| 作者姓名： | 曾军 朱薇薇 李斌 樊祥宁 |
| 摘 要： | 采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器.此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗.电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法.在不恶化相位噪声性能的前提下,核... |
| 关 键 词： | 压控振荡器( VCO) 低功耗 低相位噪声 谐振腔设计 无线传感器网络( WSN) |