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| 低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 李文军,李文漪,赵君芙,吴争鸣,武正簧,赵小林,蔡炳初.低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究[J].微细加工技术,2000(3):63-69. |
| 作者姓名： | 李文军 李文漪 赵君芙 吴争鸣 武正簧 赵小林 蔡炳初 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学信息存储研究中心上海 200030 2. 上海交通大学材料科学与工程学院上海 200030 3. 太原理工大学化学工程与技术学院太原 030024 |
| 摘 要： | 以四异丙醇钛为原料，氧气作反应气体，高纯氮气作载气，采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜，研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响，以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析，实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的，在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结 |
| 关 键 词： | MOCVD 二氧化钛 薄膜 |
| 文章编号： | 1003-8213(2000)03-0063-08 |
| 修稿时间： | 1999年9月22日 |
Study on TiO2 Thin Films Prepared by Low Pressure MOCVD |
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| Abstract: | |
| Keywords: | MOCVD |
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