SiC 半导体材料与器件（1）

本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。