TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响 |
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引用本文: | 赵润涛,王旭洪,陈翔,徐立强.TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响[J].功能材料与器件学报,2001,7(1):90-94. |
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作者姓名: | 赵润涛 王旭洪 陈翔 徐立强 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 研究了薄型扁平四面封装(TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVD SiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这此培位产生和扩展的。PECVD SiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。
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关 键 词: | 分层 氮化硅薄膜 TQFP器件 防水性能 PECVD 集成电路 |
文章编号: | 1007-4252(2001)01-0090-05 |
修稿时间: | 1999年9月2日 |
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