TSV铜抛光液的研究进展 |
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作者姓名: | 王帅 王如 郑晴平 刘彬 |
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作者单位: | 1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61504037);;河北省自然科学基金资助项目(F2015202267); |
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摘 要: | 对硅通孔技术(TSV)在3D堆叠封装领域的优势进行了简单阐述,同时指出化学机械抛光(CMP)技术作为具有高质量和高精度的全局平坦化工艺,是TSV制备过程中最重要的步骤之一。影响化学机械抛光质量以及效率的因素有很多,其中比较关键的是化学机械抛光液的组成成分及其性能。重点从抛光速率、抛光质量(抑制碟形坑、表面粗糙度等)和绿色环保几个方面对抛光液性能的影响进行了讨论,概述了近年来国内外铜抛光液的研究进展。最后,通过对比总结目前铜抛光液的研究成果,对TSV铜抛光液今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测,其应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本及环境友好的方向发展。
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关 键 词: | 硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 抛光速率 抛光质量 |
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