| PMMA:C60存储器件制备及其电双稳特性 |
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| 引用本文： | 张峰杰,杨兵初,周聪华,张亚,张雷,黄光辉.PMMA:C60存储器件制备及其电双稳特性[J].半导体技术,2013(6):433-437. |
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| 作者姓名： | 张峰杰 杨兵初 周聪华 张亚 张雷 黄光辉 |
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| 作者单位： | 中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61172047);中南大学大学生自由探索项目(Z12011);高等学校博士学科点专项科研基金(20110162110059) |
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| 摘 要： | 采用氯苯/三氯甲烷混合溶剂配制聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA):富勒烯(C60)溶液,运用旋涂法以氧化铟锡为基底制备薄膜,运用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行表征。制备了ITO/PMMA:C60/Al结构的有机双稳态器件,采用伏安法对器件的电双稳态性能进行测试。最后,分析了有机层中的电荷陷阱对器件电双稳特性的影响。实验表明,当溶剂体积比为1:1时,薄膜粗糙度较低,以此薄膜为功能层制备的器件阈值电压为5.4 V,高/低电阻态的电阻比值达到32.1。器件的阈值电压随着薄膜表面粗糙的增加而加大。
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| 关 键 词： | 表面形貌 存储器件 电双稳态 阈值电压 有机物 |
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