MPS快恢复二极管正向压降的研究 |
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引用本文: | 陈天,杨晓鸾,季顺黄.MPS快恢复二极管正向压降的研究[J].半导体技术,2013(8):598-602. |
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作者姓名: | 陈天 杨晓鸾 季顺黄 |
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作者单位: | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
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基金项目: | 工业和信息化部新型电力电子器件研发及产业化资助项目(2010301) |
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摘 要: | 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。
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关 键 词: | 混合pin/肖特基(MPS)二极管 快恢复二极管 正向压降 正温度系数 负温度系数 |
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