| Fe膜硫化法制备FeS_2薄膜 |
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| 引用本文： | 陈章其,林云,倪明生. Fe膜硫化法制备FeS_2薄膜[J]. 电子器件, 1997, 0(4) |
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| 作者姓名： | 陈章其 林云 倪明生 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（α＞６×１０５ｃｍ－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜
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| 关 键 词： | FeS＿2膜，薄膜，太阳能 |
The Preparation of Pyrite Thin Films by Iron Films Sulfurizated |
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| Chen Zhangqi Lin Yun Ni Mingsheng. The Preparation of Pyrite Thin Films by Iron Films Sulfurizated[J]. Journal of Electron Devices, 1997, 0(4) |
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| Authors: | Chen Zhangqi Lin Yun Ni Mingsheng |
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| Keywords: | FeS 2 flim solar energy |
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