| 用于激光聚变实验中的GaAs光电探测器 |
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| 引用本文： | 杨向东 李朝光. 用于激光聚变实验中的GaAs光电探测器[J]. 原子能科学技术, 1996, 30(3): 225-229 |
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| 作者姓名： | 杨向东 李朝光 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
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| 摘 要： | 采用中子辐照过的ＧａＡｓ材料做成了ＧａＡｓ光电探测器，它具有良好的性能，时间响应快（约１００ｐｓ）、灵敏度高（约１０＾－１９Ｃ／ｋｅＶ）、体积小。已被用于激光聚变实验中Ｘ射线角分布测量。
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| 关 键 词： | 光电探测器 砷化镓 激光聚变 |
GaAs PHOTOCONDUCTOR USED IN LASER FUSION EXPERIMENT |
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| Yang Xiangdong, Zheng Zhijian, Li Chaoguang. GaAs PHOTOCONDUCTOR USED IN LASER FUSION EXPERIMENT[J]. Atomic Energy Science and Technology, 1996, 30(3): 225-229 |
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| Authors: | Yang Xiangdong Zheng Zhijian Li Chaoguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photoconductor detector Hard X-ray Energy deposition Sensitivity |
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