| 室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究 |
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| 引用本文： | 刘爽,宁永功,赵凯生,刘永智,李华高,熊平.室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究[J].半导体光电,2005,26(Z1):94-95,100. |
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| 作者姓名： | 刘爽 宁永功 赵凯生 刘永智 李华高 熊平 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054
2. 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 用反应溅射法制备了VOx薄膜.利用XPS分析技术,研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系.结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜,氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V,衬底表面吸附氧会改变薄膜组分,V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高,V2O3不利于红外探测.
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| 关 键 词： | 室温红外探测 VOx薄膜 电阻温度系数 室温红外探测 薄膜 工艺研究 Infrared Detector Films 电阻温度系数 含量 变薄 表面吸附氧 价态 氧气流量 复相 结果 关系 工艺条件 沉积厚度 基片材料 氧分压 膜组分 分析技术 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)S-0094-02 |
| 修稿时间： | 2004年11月22日 |
Technology of Vox Films for Uncooled Infrared Detector |
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| LIU Shuang,NING Yong-gong,ZHAO Kai-sheng,LIU Yong-zhi,LI Hua-gao,XIONG Ping.Technology of Vox Films for Uncooled Infrared Detector[J].Semiconductor Optoelectronics,2005,26(Z1):94-95,100. |
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| Authors: | LIU Shuang NING Yong-gong ZHAO Kai-sheng LIU Yong-zhi LI Hua-gao XIONG Ping |
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