| 包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析 |
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| 引用本文： | 于春利,郝跃,杨林安.包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析[J].半导体学报,2004,25(7):778-783. |
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| 作者姓名： | 于春利 郝跃 杨林安 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 |
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| 摘 要： | 采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 ,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析
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| 关 键 词： | 轻掺杂漏MOS场效应管 衬底电流 热载流子效应 深亚微米 |
A Novel Empirical Model of I-V Characteristics for LDD MOSFET Including Substrate Current |
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| Yu Chunli,Hao Yue,Yang Lin''''an.A Novel Empirical Model of I-V Characteristics for LDD MOSFET Including Substrate Current[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):778-783. |
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| Authors: | Yu Chunli Hao Yue Yang Lin'an |
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| Keywords: | LDD MOSFET substrate current hot carrier effect deep submicron |
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