MgSiN_2固相合成的研究进展

MgSiN_2由于具有和AlN相似的晶体结构,引起了人们的广泛关注。它具有高硬度、高电子阻抗、高热导率、低介电常数、相对较好的断裂韧性、良好的抗热震性能、高达920℃以上的抗氧化性等性能。在各个领域尤其是在电子、国防、宇航领域有着较好的应用,在制备高密度集成电路基板材料、封装材料、高热导非氧化物陶瓷、β-Si_3N_4棒晶、发光材料等方面都有着巨大的应用前景。概述了MgSiN_2粉末与陶瓷烧结体制备的研究进展及其在其他方面的应用,并对MgSiN_2的未来发展进行了展望。