离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质 |
| |
引用本文: | 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国. 离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 84-87 |
| |
作者姓名: | 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 |
| |
作者单位: | 胡良均(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083);陈涌海(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083);叶小玲(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083);王占国(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083) |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号;90201007,60390074) |
| |
摘 要: | 用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量子点周围减小量子点所受的应力,同时形成的团簇阻碍了界面上原子的互扩散作用有关.Mn在盖层中形成了GaMnAs和小的Mn颗粒,表现出较好的低温铁磁性.
|
关 键 词: | InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇 铁磁性 |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0084-04 |
修稿时间: | 2006-12-04 |
Magnetic and Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Doped by High Energy Mn Implantation |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
|
|