使用0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術配合共平面波導結構研製Ka頻帶低雜訊放大器

本篇論文研究使用串接電路與共平面波導結構配合0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術研製Ka(26.5 - 40.0 GHz)頻帶低雜訊放大器。研究結果顯示電晶體偏壓在Vds=2V、Vgs= -0.6V時，在30GHz得到增益12.53dB和29.5GHz得到雜訊3.3dB，實驗得到此技術具有寬頻、高增益與氐雜訊特性，非常適用於毫米波積體電路應用。