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一种超薄硅薄膜的制作方法
引用本文:李忻,车录锋,王跃林. 一种超薄硅薄膜的制作方法[J]. 功能材料与器件学报, 2002, 8(4): 388-390
作者姓名:李忻  车录锋  王跃林
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室,上海,200050
基金项目:上海市科学技术发展基金和王宽诚博士后基金资助
摘    要:超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术,得到了厚度4μm左右的平整的Si(P )/Si3N4复合薄膜。由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级,为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础。

关 键 词:超薄硅薄膜 制作方法 内应力 形变 电容式微差压传感器
文章编号:1007-4252(2002)04-0388-03
修稿时间:2002-01-18

Fabrication of thin Si diaphragm
LI Xin,CHE Lu-feng,WANG Yue-lin. Fabrication of thin Si diaphragm[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2002, 8(4): 388-390
Authors:LI Xin  CHE Lu-feng  WANG Yue-lin
Abstract:
Keywords:silicon diaphragm  intrinsic stress  deformation  micromachined cap acitive differential pressure sensors  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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