化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜 |
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作者姓名: | 孙正亮 陈立东 |
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作者单位: | 中国科学院,上海硅酸盐所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049 |
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摘 要: | 近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50~100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。
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关 键 词: | Bi_2Se_3薄膜 化学浴沉积 |
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