JT—60U上大ELM引起的密度坪台崩塌

在JT－60U ELMyH模放电中，为了了解坪台结构的崩塌机理和芯部／边缘等离子体，用外差反射仪系统测量大（I）型ELM的详细行为。反射仪的相位信号显示出ELM引起的密度分布坪台崩塌所致的截止层(密度层）的移动。ELM事件分成先兆相位，崩塌相位，恢复相位和弛豫相位。靠近坪顶肩部测出的某一密度层在崩塌相位的等离子体内移动了约7cm。也研究了坪台密度下先兆振荡以及坪台结构崩塌的Dα脉冲间的关系。