| 波长拓展型InGaAsBi近红外探测器 |
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| 引用本文： | 冯铎,代金梦,曹有祥,张立瑶. 波长拓展型InGaAsBi近红外探测器[J]. 红外与毫米波学报, 2023, 42(4): 468-475 |
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| 作者姓名： | 冯铎 代金梦 曹有祥 张立瑶 |
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| 作者单位： | 上海理工大学 理学院， 上海 200093,上海理工大学 理学院， 上海 200093,上海理工大学 理学院， 上海 200093,上海理工大学 理学院， 上海 200093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61904106） |
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| 摘 要： | InGaAs光电探测器广泛应用于短波红外检测。在InGaAs中掺入Bi可以减小带隙，延长探测波长。通过控制In和Bi的组分可使InyGa1-yAs1-xBix与InP晶格匹配，同时，扩展探测波长至3 μm以上。设计并研究了In0.394Ga0.606As0.913Bi0.087 p-i-n光电探测器的光电性能。计算了不同温度、吸收层厚度和p（n）区掺杂浓度下的暗电流和响应率特性。获得了3 μm的截止波长。该结构为拓展InP基晶格匹配的短波红外探测器的探测波长提供了一种可行的方法。
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| 关 键 词： | 铟镓砷铋 暗电流 响应率 短波红外 |
| 收稿时间： | 2022-11-02 |
| 修稿时间： | 2023-06-03 |
Wavelength extended InGaAsBi near infrared photodetector |
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| FENG Duo,DAI Jin-Meng,CAO You-Xiang and ZHANG Li-Yao. Wavelength extended InGaAsBi near infrared photodetector[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2023, 42(4): 468-475 |
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| Authors: | FENG Duo DAI Jin-Meng CAO You-Xiang ZHANG Li-Yao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAsBi dark current responsivity SWIR |
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