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| 化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究 | |
| 引用本文： | 朱庆山,邱学良.化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究[J].化工冶金,1998,19(3):193-198. |
| 作者姓名： | 朱庆山 邱学良 |
| 摘 要： | 对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研空了温度、压力、载气量和图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用。 |
| 关 键 词： | 化学气相沉积 碳化硅 热力学 涂层 相图 |
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