AIGaN／GaN HEMT器件的高温特性

研究了AIGaN／GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时，器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1．02A／mm和230mS／mm。温度升高到100℃时几乎没有变化，温度升高到300℃时．最大漏源电流和跨导分别下降到0．69A／mm和118．25mS／mm，下降的百分比分别为：67．6％和51.4％。