高压并联电抗器匝间保护防饱和误动方法研究 |
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作者姓名: | 戴飞扬 周泽昕 李勇 杜丁香 郭雅蓉 柳焕章 |
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作者单位: | 中国电力科学研究院有限公司,北京市 海淀区 100192;华中电网有限公司,湖北省 武汉市 430077 |
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基金项目: | 国家电网有限公司总部科技项目 |
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摘 要: | 高压并联电抗器(high voltage shunt reactor,HVSR)易于在端电压突增的情况下饱和,电气特征上高抗饱和与匝间短路之间较为模糊,传统的基于零序电气量的匝间保护存在误动风险.提出一种新型高抗饱和防误动方法,针对高抗饱和误动问题,构建了基于谐波分量及直流分量的闭锁判据,防止匝间保护在高抗饱和时误动作...
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关 键 词: | 高压并联电抗器 串补电容 谐波分量 计算电感 防误动 |
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