12GHz微波单片低噪声放大器

<正> 南京电子器件研究所于1988年11月研制成12GHz微波单片集成两级低噪声放大器,封面插图为其芯片的SEM照片。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数为3.1dB,相关增益为14dB。采用该所自编的计算机程序NAMP进行电路优化设计,在3.22×1.49×0.2mm芯片上集成了2个GaAs MESFET,6个MIM电容,8个空气桥及微带线电路。