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| 第一性原理研究不同压力下正交相SrHfO_3的电子结构(英文) | |
| 作者姓名： | 冯丽萍 贾瑞涛 刘正堂 |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室; |
| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(61376091);Natural Science Foundation of Shaanxi Province(2012JM6012);Fundamental Research Funds for the Central Universities(3102014JCQ01033);the“111”Project(B08040) |
| 摘 要： | 采用第一性原理研究了压力对正交相Sr Hf O3电子结构的影响。正交相Sr Hf O3在零压力时的结构参数与已有的实验值和理论计算值一致。当施加的压力小于20 GPa时,正交相Sr Hf O3的最小间接带隙在Z-Γ之间。当施加的压力大于20 GPa时,正交相Sr Hf O3的最小间接带隙在S-Γ之间。随着压力的增加,正交相Sr Hf O3的态密度向低能量方向移动。电荷密度分析表明,Hf-O之间主要以共价键结合,Sr-O之间主要以离子键结合。随着压力的增加,Hf-O共价键和Sr-O离子键增强,而Sr-Hf O3之间的离子交互作用减弱。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 电子结构 SrHfO 压力 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |