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PTFE/SiO2复合材料的DSC分析及其结晶行为研究
作者姓名:崔毓仁  钟朝位  袁颖
作者单位:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
基金项目:中央高校基本科研业务费专项资金资助(ZYGX2012J035)
摘    要:采用DSC技术,研究不同热压温度制备的PTFE/SiO2复合材料以及纳米SiO2部分取代微米SiO2的PTFE/SiO2复合材料的非等温结晶行为。DSC分析表明热压温度高于370℃时,PTFE分子聚合度下降,晶态PTFE微观形貌发生改变,其性能恶化。对复合材料非等温结晶DSC曲线应用Avrami方程分析发现,结晶过程包含了均相成核和异相成核两种成核机理。纳米SiO2取代部分微米SiO2量小于0.25%时,对PTFE成核作用有一定提升,当取代量大于0.25%时,由于偶联剂用量一定,造成SiO2颗粒团聚以及与PTFE界面相容性变差,成核效果不明显。

关 键 词:DSC  结晶度  热压温度  Avrami方程  异相成核
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