Ⅲ—Ⅴ旗化合物半导体欧姆接触制作技术评述

扼要介绍了影响欧姆接触形成的因素,对金属—半导体结构进行了测量,对Ⅲ—Ⅴ族化合物的欧姆接触进行了评述。我们讨论了用各种工艺形成的金属—半导体系的热性能(合金、烧结,采用了激光和电子束)。同时还评述了金属淀积前对半导体表面的重掺杂工艺(扩散、离子注入、外延)。一般来讲,金属—ⅢⅤ族半导体之间的相互作用将形成化合物。从电学观点来看,虽然化合物的出现改变了界面的化学组成,但似乎并不因此而使势垒高度有大的改变。微粒的淀积会使界面粗糙。我们认为,迄今所有制作接触的工艺均简便可行,但是和理想情况相比还相差很远。