非晶态发射极晶体管(FFJ)

采用非晶态硅作为双极型微波功率晶体管的发射极材料,利用这种硅层的垂直电阻的镇流作用,能够消除发射极边缘的注入电流集边现象。与通常晶体管相比,FFJ的有效发射极面积对基极面积之比值提高2～3倍,输出功率-阻抗乘积提高5～10倍。 由于FFJ的发射极-基极结电容仅仅取决于它的发射极掺杂情况,因此,可以同时得到较小的基极电阻r_b和较高的发射极截止频率f_(TE)。f_(max)的数值可以比通常的晶体管高3～5倍。