| C波段低噪声放大器设计的要点 |
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| 引用本文： | 赵显超,董卫华.C波段低噪声放大器设计的要点[J].半导体技术,2006,31(5):374-376,381. |
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| 作者姓名： | 赵显超 董卫华 |
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| 作者单位： | 1. 中国人民解放军空军驻石家庄地区军事代表,石家庄,050051
2. 中国人民解放军空军驻京丰台地区军事代表室,北京,100070 |
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| 摘 要： | 介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试.设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4～5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB.用Prote199SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上.
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| 关 键 词： | 噪声系数 稳定性 优化 波段 低噪声场效应管 放大器设计 Low Noise Amplifier Band Essential 聚四氟乙烯基板 设计制作 印制板 噪声系数 增益 范围 优化 仿真 两级级联 生产 利用 匹配网络 低噪声放大器 微波工作室软件 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）05-0374-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-01 |
| 修稿时间： | 2005-09-01 |
Design Essential of C Band Low Noise Amplifier |
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| ZHAO Xian-chao,DONG Wei-hua.Design Essential of C Band Low Noise Amplifier[J].Semiconductor Technology,2006,31(5):374-376,381. |
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| Authors: | ZHAO Xian-chao DONG Wei-hua |
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| Affiliation: | 1.Military Delegate of PLA Air Force Stationed in Shijiazhuang Area, Shijiazhuang 050051, China; 2.Military Delegate of PLA Air Force Stationed in Jingfeng Area, Beijing 100070, China |
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| Abstract: | The design and debugging of C band low noise amplifier with microwave studio software are introduced. The fabricated C band low noise FET amplifier is cascaded with all micro-strip mat ching network and NEC FET N32584C, and designed, simulated and optimized with microwave studio software. It achieves a gain around 30dB at 4.4-5.1GHz with noise figure less than 0.8dB. The amplifier is fabricated on polytetrafluoroethylene substrate with PCB being drawn with Prote199SE. |
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| Keywords: | noise figure stability optimization |
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