| Si(111)7×7表面Gd@C82分子的STM研究 |
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| 引用本文： | 刘宇,申自勇,孙涛,侯士敏,赵兴钰,薛增泉,施祖进,顾镇南. Si(111)7×7表面Gd@C82分子的STM研究[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(1): 43-47 |
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| 作者姓名： | 刘宇 申自勇 孙涛 侯士敏 赵兴钰 薛增泉 施祖进 顾镇南 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学信息科学技术学院,北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871
2. 北京大学化学与分子工程学院,北京,100871 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化.
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| 关 键 词： | 扫描隧道显微镜(STM) 扫描隧道谱(STS) Si(111)7×7 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)01-043-05 |
| 修稿时间： | 2005-05-13 |
Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd @ C82 on Si( 111 ) 7 × 7 Surface |
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| Liu Yu,Shen Ziyong,Sun Tao,Hou Shimin,Zhao Xingyu,Xue Zengquan,Shi Zujin,Gu Zhennan. Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd @ C82 on Si( 111 ) 7 × 7 Surface[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(1): 43-47 |
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| Authors: | Liu Yu Shen Ziyong Sun Tao Hou Shimin Zhao Xingyu Xue Zengquan Shi Zujin Gu Zhennan |
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| Keywords: | Gd@C82 |
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