首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

TiO2薄膜制备及其氧敏特性
引用本文:戴振清,孙以材,潘国峰,孟凡斌,李国玉.TiO2薄膜制备及其氧敏特性[J].半导体学报,2005,26(2):324-328.
作者姓名:戴振清  孙以材  潘国峰  孟凡斌  李国玉
作者单位:[1]河北工业大学微电子研究所,天津300130//河北科技师范学院数理系,秦皇岛066600 [2]河北工业大学微电子研究所,天津300130
摘    要:采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.

关 键 词:磁控溅射  TiO2薄膜  氧敏特性  激活能  薄膜制备  氧敏特性  Properties  Thin  Films  可逆性  器件特性  激活能为  氧分压  灵敏度  结果  测试  情况  的转化  退火温度  晶体结构  研究  法制  直流磁控溅射
文章编号:0253-4177(2005)02-0324-05
修稿时间:2004年2月11日

Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties
Dai Zhenqing,SUN Yicai,Pan Guofeng,Meng Fanbin,Li Guoyu.Preparation of TiO2 Thin Films and Their Oxygen-Sensing Properties[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):324-328.
Authors:Dai Zhenqing  SUN Yicai  Pan Guofeng  Meng Fanbin  Li Guoyu
Abstract:
Keywords:DC magnetron sputtering  thin films of titanium oxide  oxygen-sensing properties  activation energy
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号