| 抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd |
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| 引用本文： | 师向虎,杨晓舟. 抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd[J]. 电子元件与材料, 2001, 20(3): 7-9 |
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| 作者姓名： | 师向虎 杨晓舟 |
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| 作者单位： | BC上海中狮电子有限公司, |
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| 摘 要： | 以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tgd 的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tgd 变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。
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| 关 键 词： | 抗干扰 金属化聚丙烯薄膜电容器 损耗角正切 |
| 文章编号： | 1001-2028(2001)03-0007-03 |
| 修稿时间： | 2000-08-24 |
tgd of MKP metallized polypropylene film capacitors for interference suppression |
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| SHI Xiang-hu,YANG Xiao-zhou. tgd of MKP metallized polypropylene film capacitors for interference suppression[J]. Electronic Components & Materials, 2001, 20(3): 7-9 |
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| Authors: | SHI Xiang-hu YANG Xiao-zhou |
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| Abstract: | With MKP metallized polypropylene film capacitor for interference suppression as an example, the key factors that affect tgd are analyzed. It is concluded that metallized film sheet resistance, offset edges, metal particle size and dust on terminal surface are the main factors that result in higher tgd after clearing, voltage test or surge voltage test. (no refs.) |
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