| 一种用于SRAM快速仿真的模型 |
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| 引用本文： | 张锋,周玉梅,黄令仪. 一种用于SRAM快速仿真的模型[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1264-1268 |
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| 作者姓名： | 张锋 周玉梅 黄令仪 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 根据静态随机存储器（SRAM）电路及版图的设计特点，提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型．该模型仿真快速准确，能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点，在很大程度上缩短了设计周期．同时，它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5％．该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用；芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺．流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的．
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| 关 键 词： | SRAM 网表 版图后仿真 寄生效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1264-05 |
| 修稿时间： | 2004-08-17 |
A New Fast Simulation and Calculation Model Based On SRAM |
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| Zhang Feng,ZHOU Yumei,Huang Lingyi. A New Fast Simulation and Calculation Model Based On SRAM[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1264-1268 |
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| Authors: | Zhang Feng ZHOU Yumei Huang Lingyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM netlist simulation of post-layout parasitism effect |
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