| 磁控溅射制备纳米TiO2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析 |
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| 引用本文： | 刘亚丽,吴奎,胡毅,叶勤.磁控溅射制备纳米TiO2半导体薄膜的工艺研究与晶型分析[J].真空,2008,45(5). |
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| 作者姓名： | 刘亚丽 吴奎 胡毅 叶勤 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金，广东省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜.采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;还探讨了磁控溅射氧分压对薄膜性能的影响.结果表明:磁控溅射制备的薄膜在不同温度下退火,发现300℃退火薄膜没有结晶,薄膜表面呈圆形离散的颗粒状;400℃退火出现锐钛矿结构,是连续的致密均匀薄膜;500℃退火后薄膜锐钛矿结构更完善,(101)方向开始优先生长,空隙率变大,且锐钛矿结构更完整.随着退火温度的升高晶粒长大拉曼光谱出现红移,拉曼光谱所反应的锐钛矿信息增强,500℃退火时197 cm-1,出现了Eg振动模式.和标准的单晶TiO2体材料相比,拉曼峰位置都略有红移是纳米量子尺寸效应造成的.氩氧比分别为9:1、7:3和6:4溅射制备的薄膜通过400℃退火后的XRD衍射谱没有明显的区别,但拉曼光谱显示氩氧比为7:3时结晶要完善些.
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| 关 键 词： | 射频反应磁控溅射 纳米二氧化钛薄膜 锐钛矿 退火 氩氧比 |
Technological process and cryswtalline structure of TiO2 semiconductor thin film deposited by RF magnetron sputtering |
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| LIU Ya-li,WU Kui,HU Yi,YE Qin.Technological process and cryswtalline structure of TiO2 semiconductor thin film deposited by RF magnetron sputtering[J].Vacuum,2008,45(5). |
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| Authors: | LIU Ya-li WU Kui HU Yi YE Qin |
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