| 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究 |
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| 引用本文： | 韩军,柴常春,杨银堂,曾晓. 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2004, 24(3): 275-280 |
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| 作者姓名： | 韩军 柴常春 杨银堂 曾晓 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 重点实验室基金资助项目(编号:00JS02.6.1DZ01) |
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| 摘 要： | 利用二维器件仿真软件 MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的 n沟 6H-Si C场效应晶体管的结构模型和物理模型 ,通过模拟研究 ,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特性的影响。
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| 关 键 词： | 碳化硅场效应晶体管 特性模拟 界面陷阱 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)03-275-06 |
| 修稿时间： | 2002-08-12 |
Study on Temperature Characteristic of n-channel 6H-SiC MOSFET with Interface Traps |
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| HAN Jun CHAI Changchun YANG Yintang ZENG Xiao. Study on Temperature Characteristic of n-channel 6H-SiC MOSFET with Interface Traps[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2004, 24(3): 275-280 |
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| Authors: | HAN Jun CHAI Changchun YANG Yintang ZENG Xiao |
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| Abstract: | Two-dimensional device simulating software MEDICI was used to establish the structure model and physical model of an n-channel 6H-SiC MOSFET with interface traps having a exponential distribution. The important affection of the interface traps on the threshold voltage, the transconductance and their temperature characteristics were analyzed and discussed. |
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| Keywords: | SiC-MOSFET characteristic simulation interface traps |
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