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薄膜热应力的研究
引用本文:周志烽,范玉殿.薄膜热应力的研究[J].真空科学与技术学报,1996(5).
作者姓名:周志烽  范玉殿
作者单位:佛山市陶瓷研究所!佛山528031(周志烽),清华大学材料科学与工程系!北京100084(范玉殿)
基金项目:国家自然科学基金!9587007-03
摘    要:讨论了薄膜热应力的产生原因及其计算方法。热应力与薄膜和基片的热膨胀系数、基片温度及其分布密切相关。利用溅射沉积在基片表面上的Fe-Ni薄膜热电偶测量薄膜沉积过程中的基片温度及其变化。Fe-Ni薄膜热电偶具有易于制作、稳定性好和动态响应快等优点,热电势率也较高(0.022mV/℃)。最后,简要介绍了磁控溅射Co-Cr合金膜的热应力和本征应力的研究结果。

关 键 词:薄膜  热应力  温度测量  垂直磁记录介质

A STUDY OF THERMAL STRESS IN THIN FILMS
Zhou Zhifeng.A STUDY OF THERMAL STRESS IN THIN FILMS[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1996(5).
Authors:Zhou Zhifeng
Abstract:
Keywords:Thin film  Thermal stress  Temperature measurement  Perpendicular magnetic recording medium  
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