| 沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响 |
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| 引用本文： | 刘兴辉,李玉魁,陆妍,林雨佳,李宇,王绩伟,李松杰.沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响[J].真空科学与技术学报,2013,33(6). |
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| 作者姓名： | 刘兴辉 李玉魁 陆妍 林雨佳 李宇 王绩伟 李松杰 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁大学物理学院 沈阳 110036
2. 中原工学院 郑州 450007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，辽宁省科技厅自然科学基金项目，辽宁省教育厅高等学校科研基金( |
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| 摘 要： | 碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等；横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数.本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性.在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响.结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关.当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应.
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| 关 键 词： | 非平衡格林函数 MOS-CNTFET 输运特性 短沟道效应 |
Influence of Channel Length and Source/Drain Doping Content on Transport Characteristics of MOS-CNTFET |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Non-equilibrium Green's Function MOS-CNTFET Transport characteristics Short channel effect |
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