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真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜
引用本文:冯松,李蓉萍,田磊,邹凯,刘永生.真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜[J].真空,2013,50(2).
作者姓名:冯松  李蓉萍  田磊  邹凯  刘永生
作者单位:内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特,010021
摘    要:采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄膜表面更加均匀致密,改善了薄膜的结晶状况,增大了薄膜的光吸收范围,同时也使薄膜的带隙宽度有所减小,大大降低了薄膜的电阻率.

关 键 词:真空蒸发  Sb掺杂  CdTe薄膜  性能研究

Deposition of Sb-doped CdTe thin films by vacuum evaporation
FENG Song , LI Rong-ping , TIAN Lei , ZOU Kai , LIU Yong-sheng.Deposition of Sb-doped CdTe thin films by vacuum evaporation[J].Vacuum,2013,50(2).
Authors:FENG Song  LI Rong-ping  TIAN Lei  ZOU Kai  LIU Yong-sheng
Abstract:
Keywords:
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