| 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究 |
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| 引用本文： | 高岭,赵东亮.氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究[J].真空电子技术,2013(4). |
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| 作者姓名： | 高岭 赵东亮 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,河北石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团公司青年人才基金 |
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| 摘 要： | 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素；采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生；采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞；当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2％.
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| 关 键 词： | 氮化铝陶瓷 直接覆铜 界面空洞 |
Research on Control Technology of Interface Cavity of Aluminum Nitride DBC Substrates |
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| GAO Ling
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ZHAO Dong-liang.Research on Control Technology of Interface Cavity of Aluminum Nitride DBC Substrates[J].Vacuum Electronics,2013(4). |
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| Authors: | GAO Ling ZHAO Dong-liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Aluminum nitride ceramic Direct bonded copper Interface cavity |
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