| 磁过滤阴极电弧技术沉积高sp3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究 |
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| 引用本文： | 韩亮,张涛,刘德连.磁过滤阴极电弧技术沉积高sp3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究[J].真空科学与技术学报,2013,33(3). |
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| 作者姓名： | 韩亮 张涛 刘德连 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院 西安710071
2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所 无锡214035 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助 |
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| 摘 要： | 通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳(ta-C)薄膜sp3键含量影响的研究,探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3键ta-C薄膜优化工艺条件.在不同的基片偏压下,薄膜沉积率随着磁过滤器电流增大而增大.当基片偏压为200V时,磁过滤器电流从5A增大至13A,ID/IG从0.18增加到0.39;当基片偏压500V时,ID/IG从1.3增加到2.0；证明随着磁过滤器电流的增大,薄膜中的sp3键含量在减少,sp2键及sp2团簇在逐渐增加.研究表明除了基片偏压,ta-C薄膜sp3键含量与制备工艺中磁过滤电流也具有及其密切的关联.因此,基片偏压与磁过滤器电流是ta-C薄膜制备中需要优化的工艺条件.优化和选择合适的基片偏压与磁过滤器电流对ta-C薄膜的大规模工业化生产应用具有极其重要的意义.
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| 关 键 词： | 四面体非晶碳 拉曼光谱 sp3键 基片偏压 磁过滤器电流 |
Growth Optimization of Tetrahedral Amorphous Carbon Films with High sp3 Density |
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