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Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究
引用本文:刘斌,沈鸿烈,冯晓梅,王威,岳之浩,吴天如.Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究[J].真空科学与技术学报,2013,33(2).
作者姓名:刘斌  沈鸿烈  冯晓梅  王威  岳之浩  吴天如
作者单位:南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京210016
基金项目:国家863计划项目,江苏高校优势学科建设工程资助项目
摘    要:采用射频磁控共溅射法在玻璃衬底上制备出了Al与Sn共掺杂的ZnO(ATZO)薄膜.在固定ZnO∶Al(AZO)靶溅射功率不变的条件下,研究了Sn靶溅射功率对ATZO薄膜的结晶质量、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明,制备的ATZO薄膜是六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向,而且表面致密均匀.当Sn溅射功率为5W时,330 nm厚度的ATZO薄膜的电阻率最小为1.49×10-3 Ω·cm,比AZO薄膜下降了22%.ATZO薄膜在400~900 nm波段的平均透过率为88.92%,禁带宽度约为3.62 eV.

关 键 词:ZnO薄膜  磁控溅射  Al-Sn共掺杂  光电特性

Microstructures and Electro-Optical Properties of ZnO Films Doped with Al and Sn
Abstract:
Keywords:
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