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| ICP深硅刻蚀工艺研究 | |
| 引用本文： | 许高斌,皇华,展明浩,黄晓莉,王文靖,胡潇,陈兴. ICP深硅刻蚀工艺研究[J]. 真空科学与技术学报, 2013, 33(8) |
| 作者姓名： | 许高斌 皇华 展明浩 黄晓莉 王文靖 胡潇 陈兴 |
| 作者单位： | 1. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心 合肥230009;中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司 蚌埠233042 2. 合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心 合肥230009 3. 中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司 蚌埠233042 |
| 基金项目： | 国家"863"计划(2013AA041101)安徽省科技攻关计划项目 |
| 摘 要： | 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一.利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数. |
| 关 键 词： | 感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀 侧壁光滑陡直刻蚀 高深宽比刻蚀 工艺参数 |
Experimental Evaluation of Inductively Coupled Plasma Deep Silicon Etching |
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| Abstract: | |
| Keywords: | ICP etching Deep silicon etching Smooth and steep sidewall etching High aspect ratio etching Process parameters |
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