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| ⅣA元素掺杂的ZnO的电学和光学性质 | |
| 引用本文： | 姚银华,曹全喜.ⅣA元素掺杂的ZnO的电学和光学性质[J].真空科学与技术学报,2013,33(1). |
| 作者姓名： | 姚银华 曹全喜 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院 西安 710071 |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论的总体能量平面波模守恒赝势方法,对掺杂Si、Ge、Sn的ZnO的电导率和光学性质进行了理论研究.结果表明,掺杂后晶格常数随着杂质原子序数的增大而增大.ⅣA族元素对Zn的替代可以提高ZnO的载流子浓度和电导率.ZnO:Si的载流子浓度最大,ZnO:Sn的电导率最大.ⅣA族元素对Zn的替代使得ZnO的吸收和反射都降低.此外,掺Sn的ZnO由于在可见光区吸收小和反射小,更适合用于制备高质量的透明导电氧化物.理论计算的结果与实验结果相一致. |
| 关 键 词： | ZnO 电导率 光学性质 透明导电氧化物 |
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